王侠
人工晶体学报
采用MOCVD制备了带有MN插入层AlGaN/GaN异质结构外延材料,对外延材料分别进行了原子力显微镜AFM、双晶XRD以及变温HALL测试.测试结果表明:具有AlN插入层的外延材料表面非常平整,10 μm × 10 μm范围样品的表面均方根粗糙度RMS仅为0.302 nm,AlGaN势垒层衍射峰更尖锐,材料结构特性良好,大大提高了AlGaN/GaN异质结的2DEG面密度和迁移率,280 K和300 K时沟道电子迁移率分别为4736 cm2/V·s和1785 cm2/V·s,比无MN插入层的传统结构得到的结果分别提高了45.7％和23.4％.
关键词:
MOCVD
,
AlN插入层
,
AlGaN/GaN异质结构
,
外延
,
迁移率
郑定山
,
邹旭明
,
蒋涛
人工晶体学报
利用化学气相沉积法在Si衬底上生长合成了InAs纳米线,制备了基于InAs纳米线场效应晶体管并研究了电输运特性.对器件的阈值电压、亚阈值斜率、跨导、场效应迁移率以及载流子浓度等参数进行了计算和讨论.结果表明,InAs纳米线器件阈值电压约为-6.0 V,亚阈值斜率为180.86 mV/decade,跨导值达0.85 μS,最大开关比达108,场效应迁移率高达436.3 cm2/(V·s),载流子浓度达6.6×1017 cm-3.
关键词:
InAs纳米线
,
场效应晶体管
,
阈值电压
,
迁移率
曹明杰
,
赵明
,
庄大明
,
郭力
,
欧阳良琦
,
李晓龙
,
宋军
材料研究学报
采用中频交流磁控溅射法制备非晶铟镓锌氧化物(IGZO)薄膜,用XRD、XRF、Hall测试等手段进行表征,研究了溅射电流、氧气流量等工艺参数对其电学性能的影响.结果表明,制备出的IGZO薄膜均为非晶结构,成分与靶材基本一致,电学性能对溅射电流不敏感,而氧气流量的改变可显著影响薄膜的载流子浓度和Hall迁移率.随着氧气流量的增加,薄膜的载流子浓度先增加后减小,而Hall迁移率随着载流子浓度的提高而增加.透过率随着氧气流量的增大先提高然后稳定在90％以上.
关键词:
无机非金属材料
,
IGZO薄膜
,
非晶态半导体
,
磁控溅射
,
迁移率
